Особенности замены транзисторов в радиоаппаратуре
При разработке, создании и повседневной работе бытовой электроники необходимо знать ее основные особенности. Высокая надежность радиотехники может быть обеспечена максимально при учете таких факторов, как разброс свойств транзисторов, их температурная стабильность и зависимость параметров от вида работы и изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.
Полевые транзисторы сохраняют свои параметры в установленных рамках в условиях работы, транспортировкии хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Данные условия можно охарактеризовать внешними вибрационными нагрузками и погодными воздействиями (температурными и др.).
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для применения в технике определенного класса, есть в общих технических требованиях. Нормы на значения предельных свойств и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, находятся в частных технических требованиях.
Для сокращения времени разработки и ремонта аппаратуры, важные аналоги транзисторов и их цоколевка приведены в справочнике. К преимуществам электронного справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск искомого биполярного транзистора по имени или простой поиск аналогов.
Под воздействием различных факторов окружающей среды многие параметры транзисторов и свойства будут изменяться. Для надежной защиты полупроводниковых структур от агрессивных воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их использование в составе электротехники при различных допустимых условиях эксплуатации. Надо запомнить, что корпуса транзисторов, к сожалению, имеют ограничение по герметичности. Следовательно при эксплуатации электронных приборов в аппаратуре, необходимой для работы в условиях высокой влажности, платы с установленными на них электронными элементами рекомендуется покрывать защитным составом не менее чем в три слоя.
Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Рабочие поверхности таких элементов защищены особым слоем, но он не дает хорошей защиты от воздействия агрессивной среды. Защита максимизируется общей герметизацией всей микросборки.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную функционирование радиоаппаратуры, конструктор должен не только знать основные особенности биполярных транзисторов на этапе разработки техники, но и объявить должные условия ее эксплуатации и хранения.
Биполярные транзисторы - приборы широкого круга применения. Они могут быть отлично внедрены не только в типе приборов, для которых они разработаны, но и во многих других аппаратах. Но матрица параметров и характеристик, расположенных в Интернет справочнике, соответствует первоочередному назначению транзистора. В справочнике есть значения характеристик полевых транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в разрабатываемом блоке часто отличается от того режима, для которого есть характеристики в ТУ.
Значения большинства свойств транзисторов зависят от проектируемого режима и температуры и с увеличением температуры значение параметров от режима видно очень сильно. В хорошем справочнике даны типовые (усредненные) значения характеристик транзисторов от тока, напряжения, влажности, частоты и т. п. Эти взаимные влияния могут использоваться при выборе типа транзистора и предварительных расчетах, так как данные параметров транзисторов одного типа не идентичны, а лежат в некотором интервале. Данный интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение.
При конструировании устройств связи нужно стремиться обеспечить их функционирование в возможно более широких интервалах колебаний важнейших свойств транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или эмпирически — методом граничных испытаний.
Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом используются в режиме обеднения n-канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при колебании напряжения затвор - исток от нулевого значения до потенциала отсечки тока стока.
В отличие от транзисторов с управляющим n-p переходом, у которых используемая область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при любых значениях потенциала на затворе, которое ограничено потенциалом пробоя изолятора затвора.
В радиоаппаратуре полупроводниковый прибор может быть применен в широком диапазоне потенциалов и токов. Ограничением являются показания предельно допустимых режимов, превышение которых в условиях использования не допускается независимо от продолжительности скачков напряжения или тока. Поэтому при эксплуатации трехполюсников следует обеспечить их защиту от мгновенных изменений токов и потенциалов, возникающих при переходных процессах (моменты выключения и т.п.), мгновенных скачках питающих напряжений. Не допускается также эксплуатация трехполюсников в совмещенных предельных режимах (например, по напряжению и току).
Режимы работы транзисторов обязаны контролироваться с учетом возможных экстремальных сочетаний условий эксплуатации электротехники.
Для транзисторов, выпускаемых для работы на согласованную нагрузку, при регулировании техники необходимо принимать меры, не допускающие возможность работы транзистора на рассогласованную нагрузку. Если однозначно это исключить нет возможности, то ремонт нужно осуществлять при низком напряжении питания или низкой мощности возбуждения.
Из справочника можно узнать параметры транзистора 2N100.